Quando si salva in un flash drive, le informazioni passano dalla porta USB del computer al dispositivo. All'interno del drive flash, un controller di memoria accetta i dati e funge da interfaccia tra l' indirizzo "virtuale " del sistema host e l'indirizzo di memoria fisica nel chip di memoria NAND Flash contenuti nella flash drive. Il controller di memoria gestisce le interazioni tra l'unità flash e il sistema host attraverso la lettura e l'invio o la scrittura e il salvataggio dei dati come richiesto .
Problemi con la tecnologia NAND
Sebbene Nand - chip di memoria basati sono veloci e affidabili , che fanno usura memoria esperienza, che è la degradazione delle singole celle di memoria flash NAND all'interno dei chip di memoria . Ogni volta scrive i dati di una singola cella di memoria , ci vuole un po 'più di usura. Alla fine, con sufficiente usura , le celle di memoria del chip flash NAND falliranno . Una volta che questo si verifica non c'è riparazione; . Dei dati in quella cella è andato per sempre
SLC Flash
memoria cellulare strato singolo Nand ( SLC ) consente la ben 100.000 scrive a una singola cella di memoria prima che si verifichi la corruzione. Chip di memoria SLC sono di natura monolitica ( singolo die ), con ciascuna cella di memoria che memorizza soltanto un singolo bit di dati sotto forma di un "1 " o " 0 " . SLC NAND flash chip sono più costosi da produrre , soprattutto nelle grandi capacità , e sono fisicamente più grandi di pari capacità MLC NAND flash chip .
MLC NAND Flash
Multi la memoria delle cellule livello ( MLC) è fisicamente il flash NAND più piccolo e permette circa 10.000 scritture per le sue celle di memoria prima del fallimento . Chip MLC sono una tecnologia " stacked " con più matrici di celle di memoria picchettati uno sopra l'altro nel chip . Quindi , MLC NAND Flash in grado di memorizzare due o più bit di dati per cella . Con picchettamento muore di celle di memoria , chip MLC possono memorizzare una quantità molto maggiore di dati nello stesso spazio fisico di quanto possa un chip basato su SLC con un sacrificio ragionevole in termini di velocità di lettura /scrittura .
Wear Leveling
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i progettisti sono sempre alla ricerca di migliorare le unità flash e il wear leveling è una delle loro evoluzioni . Indossare livellamento garantisce che tutte le celle di memoria vengono utilizzati un numero uguale di volte così nessuno cella fallisce lungo prima di altri . L'efficacia di wear leveling dipende da come completo a mantenere il vostro flash drive. E si riscrive al massimo delle capacità ogni cellule si abitua . Se l'unità è mezzo pieno , il controller di memoria in grado di scrivere due volte utilizzando ogni cella solo una volta .
Uso personale
Secondo Kingston Technology Corp. , completamente riscrivere il unità flash ogni giorno avrebbe preso 10 mila giorni o oltre 27 anni di indossare il dispositivo . Se avete intenzione di utilizzare il flash drive fino a quel punto , non vi è una regola semplice che ha dimostrato di essere morto -on indipendentemente dallo stato della tecnologia di memoria . Eseguire il backup dei dati .
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