Come tutti i transistor , un transistor a giunzione possono funzionare sia come un interruttore elettronico ( utilizzati nei computer ) o un amplificatore (usato in radio ) . Questo perché l'energia applicata a una giunzione controlla la corrente attraverso altri due giunzioni . Per la commutazione , l' energia di controllo avvia e interrompe la corrente . Per l'amplificazione , l' energia di controllo produce una corrente maggiore .
Tutti transistori comprendono strati di materiali semiconduttori a forma di cristallo . La presenza di piccole impurità in questi materiali determina se essi sono semiconduttori di tipo N o di tipo p semiconduttori . N - semiconduttori di tipo hanno pochi elettroni in più nella loro struttura , a causa della introduzione di impurità . P -tipo semiconduttori hanno un paio di "buchi" in cui gli elettroni sono mancanti, dovuti all'introduzione di varie impurità . Transistori di giunzione comprendono tre minuscoli frammenti di questi due materiali .
Effetto di campo
come transistor di giunzione , FET utilizzare tre scaglie di tipo N e P -tipo semiconduttori. In un transistor NPN , un singolo semiconduttore di tipo P si trova tra due semiconduttori di tipo N . Se questo nastro centrale non è collegato ad una fonte di alimentazione , una corrente può fluire attraverso l' intero transistore (cioè , da N , tramite P , all'altra N) con qualche difficoltà , a seconda dello spessore esatto dei tre nastri .
Se il P- tipo centrale scheggia si collega a una fonte di alimentazione , questo cambia il modo i - to- N N flussi di corrente . Se la corrente P è abbastanza forte , il transistor è un interruttore . Altrimenti , il transistor è un amplificatore .
FET differisce da un transistore di giunzione a forma di suoi strati . In un FET , uno dei semiconduttori è un piccolo punto su un wafer molto più grande dell'altro tipo . Questo tende a forzare la corrente in canali controllati da campi elettrici ( da cui il nome ) .
Alta Electron Transistor mobilità
HEMT sono molto simili a FET , salvo che essi comprendono materiali ( e impurezze) che tengono su elettroni ( e di buche) meno saldamente , in modo che questi vettori di corrente elettrica hanno una maggiore mobilità ( da qui il nome " elevata mobilità di elettroni " ) .
causa di questo mobilità, HEMT sono molto più veloce di transistor di giunzione e FET , se agiscono come interruttori o come amplificatori . Questo significa che HEMT fare un lavoro molto migliore di segnali a microonde amplificazione , che fluttuano molto rapidamente .
Pseudomorphic alta Electron Mobility Transistor
HMETs e tutti i transistor , i precedenti cristallino di tipo P e di tipo N semiconduttori ogni hanno uguale distanza tra loro atomi ( che è ciò che li rende cristallino ) .
la struttura di PHEMT è diverso, perché una delle scaglie semiconduttore è sottile basta che si allunga , " pseudomorphically , " per adattare la spaziatura del materiale adiacente . Questo rende il lavoro ancora più veloce transistor .
Tutti i transistor lavorano sugli stessi principi , ma le loro differenze strutturali li fanno lavorare più velocemente o più lentamente . PHEMT sono il transistor più veloce , il che li rende ideali per applicazioni a microonde .
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