Poiché i transistor sono stati ridotti a dimensioni nanometriche, la distanza tra i terminali di source e drain è diventata così piccola che gli elettroni possono attraversare la barriera di potenziale che li separa. Questo fenomeno, noto come tunneling quantistico, fa sì che una quantità significativa di corrente fluisca anche quando il transistor dovrebbe essere spento, portando ad un aumento del consumo energetico e della generazione di calore.
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