* EEPROM è un tipo di memoria di sola lettura che può essere cancellata e riprogrammata più volte. Tuttavia, il tempo del ciclo di cancellazione/scrittura per EEPROM è relativamente lento, tipicamente dell'ordine di millisecondi o addirittura secondi.
* Flash la memoria, invece, è un tipo di memoria non volatile che può essere cancellata e riprogrammata molto più rapidamente della EEPROM. I tempi del ciclo di cancellazione/scrittura della memoria flash sono in genere dell'ordine di microsecondi o addirittura nanosecondi.
Un'altra differenza tra EEPROM e memoria Flash è il numero di cicli di cancellazione/scrittura che ciascuna tecnologia può sopportare. La EEPROM è generalmente classificata per 10.000 - 100.000 cicli di cancellazione/scrittura, mentre la memoria Flash è tipicamente valutata per 100.000 - 1.000.000 di cicli di cancellazione/scrittura.
Infine, la memoria EEPROM e Flash differiscono nel costo per bit. La EEPROM è generalmente più costosa della memoria Flash, sebbene il costo per bit di entrambe le tecnologie sia in calo negli ultimi anni.
In generale, la EEPROM è più adatta per le applicazioni in cui è necessario archiviare i dati e accedervi raramente, ad esempio nelle impostazioni di configurazione o nei dati di calibrazione. La memoria flash è più adatta per le applicazioni in cui è necessario archiviare i dati e accedervi rapidamente, come nei sistemi integrati o nelle unità USB.
Ecco una tabella che riassume le principali differenze tra EEPROM e memoria Flash:
| Caratteristica | EEPROM | Flash |
|---|---|---|
| Cancella/scrivi il tempo del ciclo | Millisecondi in secondi | Microsecondi a nanosecondi |
| Numero di cicli di cancellazione/scrittura | da 10.000 a 100.000 | da 100.000 a 1.000.000 |
| Costo per bit | Più costoso | Meno costoso |
| Ideale per | Applicazioni in cui è necessario archiviare i dati e accedervi raramente | Applicazioni in cui è necessario archiviare i dati e accedervi rapidamente |
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