FPM DRAM , o la modalità Fast- Pagina dinamica memoria ad accesso casuale , è stato il tipo originale di RAM dinamica . Si accede ai dati da bicicletta attraverso tutte le colonne di celle di memoria e righe finché si accede al bit di dati richiesta , e quindi ripetendo il processo per il bit successivo dei dati . I dati di ciascun bit viene letto e quindi elaborati prima di passare al successivo bit, il che rende piuttosto lento per gli standard odierni , nonostante il suo nome . E ' in grado di offrire velocità di accesso ai dati fino a 176 MBps .
EDO DRAM
Extended Data - Out memoria dinamica ad accesso casuale o EDO DRAM utilizza lo stesso concetto di indirizzamento usato da FPM DRAM , in bicicletta attraverso tutte le celle di memoria per righe e colonne finché non viene trovato il bit desiderato . La differenza però , è quella sulla posizione dell'indirizzo del primo bit , non aspettare che il primo bit viene elaborata completamente e si muove immediatamente per localizzare l' indirizzo del bit successivo , con un conseguente miglioramento delle prestazioni su quella erogata dal FPM DRAM , con velocità di trasferimento per la cache L2 di raggiungere fino a 264 MBps .
SDRAM
permanente per Synchronous Dynamic Random-Access Memory , SDRAM utilizza un tecnica chiamata modalità burst per offrire prestazioni elevate . Il concetto è che di solito , i dati richiesti si trova nella RAM in sequenza . Così , dopo la localizzazione del primo bit , rimane sulla stessa riga e controlla rapidamente i bit da cambiare solo le colonne , leggendo quindi i prossimi celle in sequenza . Questo è tra i più comuni tipi di RAM in uso e offre una velocità di trasferimento dati fino a 1,066 Gbps.
DDR SDRAM
DDR sta per Double Data Rate . Migliora ulteriormente SDRAM consentendo dati da leggere due volte per ogni ciclo di clock , anziché una volta come nel caso di regolare SDRAM . Questo migliora significativamente le prestazioni e consente velocità di trasmissione di picco fino a 3,2 Gbps. DDR e il suo successore DDR 2 è diventato lo standard di memoria , che operano sullo stesso concetto di base solo con l'hardware più capace , offrendo una velocità di circa 8 Gbps come indicato sul Technibble . L'ultimo sviluppo di questa linea di memoria , chiamata DDR 3 , promette più di 12 Gbps.
RDRAM
differenza dei precedenti tipi di DRAM , che sono stati tutti migliorare su lo stesso concetto di base , Rambus DRAM o RDRAM utilizza un'architettura diversa . Si avvale di un bus di dati speciale conosciuto come il canale Rambus per accedere alle celle di memoria ad alta velocità in parallelo ad una velocità fino a 6.4 Gbps, con le versioni ulteriormente sviluppati sullo stesso concetto chiamato XDR DRAM e XDR2 DRAM o eXtreme Data Rate DRAM 1 e 2 offre ancora più elevata velocità . Dal momento che il potere supplementare è utilizzato dalla interfaccia canale specializzato Rambus , moduli RDRAM RIMM chiamati calore più rapidamente e richiedono un raffreddamento supplementare .
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